AS4C64M16D2A-25BINTR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 AS4C64M16D2A-25BINTR

Mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit haute performance d'Alliance Memory, conçue pour les applications industrielles et commerciales exigeant une grande fiabilité. Cette configuration 64 Mo x 16 fonctionne à 400 MHz dans une large plage de températures, de -40 °C à 95 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes de contrôle industriels.

Caractéristiques principales

• Capacité mémoire : 1 Gbit (64 Mo x 16 organisations)
• Vitesse : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
• Interface : SDRAM DDR2 parallèle
• Boîtier : 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) montage en surface
• Température de fonctionnement : -40 °C à 95 °C (TC) - Qualité industrielle
• Tension d'alimentation : 1,7 V à 1,9 V
• Conformité : conforme à la directive RoHS

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et autres applications nécessitant une prise en charge de la mémoire à long terme avec une fiabilité et une traçabilité éprouvées.

Spécifications techniques

Disponibilité : Conditionné en bande et bobine pour assemblage automatisé. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir une assistance technique.

• AS4C64M16D2A-25BINTR.pdf