AS4C64M16D3W-12BCN

Alliance Memory AS4C64M16D3W-12BCN - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 de 1 Go

L' AS4C64M16D3W-12BCN est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 1 gigabit haute performance d'Alliance Memory, conçu pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées nécessitant des solutions de mémoire fiables et à longue durée de vie.

Caractéristiques principales :

• Capacité de 1 Gbit/s avec une organisation 64M x 16 pour une intégration système flexible
• Fréquence d'horloge de 800 MHz (DDR3-1600) assurant un transfert de données à haut débit
• Faible consommation d'énergie avec une tension d'alimentation nominale de 1,5 V (1,425 V ~ 1,575 V)
• Large plage de températures de fonctionnement : 0 °C à 95 °C (TC) pour les environnements industriels
• Boîtier 96-TFBGA (9x13mm) optimisé pour les conceptions à espace restreint
• Interface SSTL_15 pour une intégrité de signal fiable
• Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement

Applications :

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les systèmes d'infodivertissement automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une disponibilité à long terme et le support d'un distributeur agréé avec une traçabilité complète du fabricant.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des produits Alliance Memory 100% authentiques avec une documentation complète, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie afin de protéger votre investissement dans la conception et d'assurer l'intégrité de la chaîne d'approvisionnement.

Spécifications techniques :

• AS4C64M16D3W-12BCN.pdf