AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire AS4C64M4SA-6TIN d'Alliance Memory est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des systèmes industriels, automobiles, médicaux et de télécommunications. Cette SDRAM parallèle dispose d'une organisation mémoire 64 Mbits x 4, d'une fréquence d'horloge de 166 MHz et d'un temps d'accès de 5,5 ns, assurant un traitement des données rapide et efficace pour les systèmes embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 166 MHz et un temps d’accès de 5,5 ns garantissent un débit de données rapide.
• Organisation de mémoire flexible : configuration 64 Mo x 4 optimisée pour les applications d’interface parallèle
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
• Tension standard : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions de systèmes courantes.
• Boîtier CMS : boîtier 54-TSOP II pour une implantation efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications

Idéal pour les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, les systèmes informatiques embarqués et toute application nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir Alliance Memory ?

Alliance Memory est spécialisée dans les composants semi-conducteurs haute fiabilité, offrant un support étendu tout au long de leur cycle de vie, une traçabilité complète et une documentation technique exhaustive. Chaque composant bénéficie d'une assistance à l'intégration et d'une logistique mondiale pour garantir la continuité de votre production.

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