AS4C64M8D1-5BINTR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR AS4C64M8D1-5BINTR d'Alliance Memory

Solution de mémoire SDRAM DDR haute performance de 512 Mbits dans un boîtier compact 60-TFBGA, idéale pour les applications industrielles, automobiles et embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable avec une plage de températures de fonctionnement étendue.

Caractéristiques principales

• Capacité de 512 Mbit/s avec une organisation de 64 Mbit/s x 8 pour une intégration système flexible
• Fréquence d'horloge de 200 MHz assurant un accès rapide aux données (temps d'accès de 700 ps)
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Fonctionnement à basse tension : 2,3 V à 2,7 V pour des conceptions économes en énergie
• Conforme à la directive RoHS, garantissant le respect des normes environnementales.
• Boîtier TFBGA 60 (8 x 13 mm) à montage en surface pour les conceptions à espace restreint

Applications

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et toute application nécessitant une prise en charge à long terme et des composants de mémoire DDR haute fiabilité.

Spécifications techniques complètes

• AS4C64M8D1-5BINTR.pdf