AS4C64M8D2-25BANTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €4,95 EUR | €4,95 EUR |
| 15+ | €4,55 EUR | €68,25 EUR |
| 25+ | €4,46 EUR | €111,50 EUR |
| 50+ | €4,21 EUR | €210,50 EUR |
| 100+ | €3,71 EUR | €371,00 EUR |
| N+ | €0,74 EUR | Price Inquiry |
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Alliance Memory AS4C64M8D2-25BANTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 512 Mbit
Le circuit intégré AS4C64M8D2-25BANTR d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM DDR2 haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire DRAM volatile dispose d'une architecture 64M x 8 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 400 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps d’accès de 400 ps et un temps de cycle d’écriture de 15 ns.
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC) pour les applications industrielles et automobiles
- Boîtier compact pour montage en surface : 60-TFBGA (8 x 10 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour une efficacité énergétique optimale.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications nécessitant une mémoire fiable et rapide avec une plage de températures de fonctionnement étendue.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons des produits Alliance Memory 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 60-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
| RoHS |

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