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Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D3L-12BCNTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS4C64M8D3L-12BCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3 AS4C64M8D3L-12BCNTR d'Alliance Memory est un composant haute fiabilité de 512 Mbits conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Doté d'une architecture mémoire 64 Mbits x 8 et d'une fréquence d'horloge de 800 MHz, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 512 Mbit - Stockage suffisant pour les applications gourmandes en données
  • Technologie DDR3 SDRAM - Interface standard pour une large compatibilité
  • Fréquence d'horloge de 800 MHz - Débits de transfert de données rapides pour des systèmes réactifs
  • Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 95 °C pour les environnements industriels
  • Conforme à la norme RoHS - Construction écologique sans plomb
  • Boîtier compact 78-VFBGA - Format compact 8 x 10,5 mm

Applications

Cette mémoire DDR3 SDRAM est idéale pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les systèmes automobiles et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide avec interface parallèle.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont issues de la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir une assistance technique.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 1,283 V ~ 1,45 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 78-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 78-FBGA (8x10,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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