AS4C8M16MSB-6BINTR

Alliance Memory AS4C8M16MSB-6BINTR - SDRAM LPSDR mobile 128 Mbit

La mémoire AS4C8M16MSB-6BINTR est une SDRAM LPSDR (Mobile Low Power Single Data Rate) haute performance de 128 Mbits d'Alliance Memory, conçue pour les applications à espace restreint et à faible consommation. Ce circuit intégré mémoire présente une architecture 8M x 16 avec interface LVCMOS et fonctionne à une fréquence d'horloge de 166 MHz pour un transfert de données fiable.

Principales caractéristiques et avantages

• Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie des appareils mobiles et alimentés par batterie.
• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements exigeants.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 54-TFBGA (8 x 8 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Idéal pour les appareils mobiles, les systèmes embarqués, les commandes industrielles, l'électronique automobile, les appareils IoT et l'instrumentation portable nécessitant des solutions de mémoire fiables et à faible consommation avec une prise en charge étendue du cycle de vie.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir Alliance Memory ?

Alliance Memory est spécialisée dans les composants semi-conducteurs haute fiabilité, bénéficiant d'un support technique étendu et d'une traçabilité complète. Distributeur agréé, nous fournissons des composants authentiques, un support technique et un service de livraison international.

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