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Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32MD2A-25BCNTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS4C8M32MD2A-25BCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR2 mobile

L' AS4C8M32MD2A-25BCNTR d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR2 mobile haute performance de 256 Mbit conçue pour les applications embarquées à espace limité nécessitant une faible consommation d'énergie et un fonctionnement fiable sur des plages de températures industrielles.

Caractéristiques principales

  • Densité de 256 Mbit avec une organisation de mémoire de 8 M x ​​32
  • Fréquence d'horloge de 400 MHz pour un accès rapide aux données (temps d'accès de 5,5 ns)
  • Fonctionnement à faible consommation : tension du noyau de 1,14 V à 1,3 V, tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V.
  • Plage de températures industrielles : -25 °C à +85 °C (TC)
  • Boîtier compact 134-TFBGA (10 mm x 11,5 mm) pour les conceptions à espace critique.
  • Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement

Applications

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'informatique de périphérie IoT et les plateformes embarquées mobiles nécessitant des solutions de mémoire fiables et à faible consommation avec une prise en charge étendue du cycle de vie.

Spécifications techniques

Ressources de conception

Des fiches techniques complètes, des schémas de référence et une documentation technique sont disponibles pour faciliter votre intégration. Contactez notre équipe d'ingénierie pour obtenir des conseils adaptés à votre application et des garanties de disponibilité à long terme.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR2 mobile
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 32
Interface mémoire HSUL_12
Fréquence d'horloge 400 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 5,5 ns
Tension - Alimentation 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 134-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 134-FBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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