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Alliance Memory, Inc.

AS6C2008A-55BIN

Prix habituel €2,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS6C2008A-55BIN - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 2 Mbit

La puce mémoire SRAM asynchrone AS6C2008A-55BIN de 2 Mbits, fabriquée par Alliance Memory, Inc., offre une fiabilité élevée et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce composant SRAM à montage en surface garantit des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et fonctionne sur une large plage de tensions (de 2,7 V à 5,5 V), ce qui la rend idéale pour les systèmes anciens comme pour les systèmes modernes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès rapide : une vitesse d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : une large plage de tension (2,7 V ~ 5,5 V) prend en charge diverses exigences système
  • Plage de températures étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels
  • Boîtier compact : la conception à montage en surface 36-TFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
  • Organisation 256K x 8 : Architecture mémoire efficace pour l’accès aux données à l’échelle de l’octet

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels et aux applications critiques nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 2 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 36-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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