AS6C4016-55BINTR

AS6C4016-55BINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire AS6C4016-55BINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire de 256 Ko x 16 et à son temps d'accès rapide de 55 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un cycle d'écriture de 55 ns garantit un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 5,5 V permet une intégration flexible dans diverses architectures système.
• Plage de température industrielle : de -40 °C à 85 °C, pour une fiabilité optimale en environnement difficile.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 48 TFBGA (6 x 8 mm) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
• Assistance tout au long du cycle de vie : l’engagement d’Alliance Memory en faveur d’une disponibilité prolongée des produits

Applications idéales

Cette SRAM est conçue pour les systèmes embarqués nécessitant une fiabilité comparable à celle des mémoires non volatiles avec la vitesse des mémoires volatiles : contrôleurs industriels, calculateurs automobiles, dispositifs médicaux, infrastructures de télécommunications, systèmes aérospatiaux et mise en mémoire tampon de données à haute fiabilité.

Spécifications techniques complètes

Informations de commande : Le composant AS6C4016-55BINTR est fourni en bande et bobine pour l’assemblage automatisé. Une documentation complète de traçabilité et des certificats de conformité sont disponibles sur demande.

• AS6C4016-55BINTR.pdf