AS6C4016-55ZINTR

AS6C4016-55ZINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS6C4016-55ZINTR d'Alliance Memory est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications exigeant des temps d'accès rapides et une large plage de tensions de fonctionnement. Avec une organisation mémoire de 256 Ko x 16 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes même dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès ultra-rapide de 55 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Large plage de tension (2,7 V - 5,5 V) - Compatibilité d'alimentation flexible pour diverses conceptions de systèmes
• Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles
• Capacité de 4 Mbit (256 Ko x 16) – Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués et les applications de mise en mémoire tampon
• Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
• Boîtier CMS 44-TSOP II - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
• Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour les processus d'assemblage automatisés

Applications typiques

Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile, l'infrastructure des télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes

• AS6C4016-55ZINTR.pdf