AS6C8016B-55BINTR

AS6C8016B-55BINTR - Circuit intégré SRAM basse consommation de 8 Mb

La mémoire AS6C8016B-55BINTR d'Alliance Memory est une mémoire SRAM 8 mégabits hautes performances conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie. Ce circuit intégré SRAM à montage en surface est disponible en boîtier TFBGA 48 broches (6 x 8 mm) compact, idéal pour les conceptions à espace restreint dans les secteurs de l'industrie, de l'automobile, des télécommunications et des systèmes embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 8 Mo – Stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon, la mise en cache et les applications gourmandes en données.
• Boîtier TFBGA 48 (6 x 8 mm) - Format compact pour les circuits imprimés haute densité
• Technologie de montage en surface - Assemblage simplifié et fiabilité améliorée
• Conditionnement en bande et bobine - Prêt pour la fabrication automatisée de prélèvement et de placement
• Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires
• Stock du distributeur agréé - Documentation et traçabilité complètes du fabricant

Applications

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux équipements de réseau, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux, aux systèmes aérospatiaux et à toute application nécessitant une mémoire rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.

Support intégré à la conception

Nous fournissons des ressources techniques complètes, notamment des fiches techniques, des schémas de référence et des notes d'application, afin d'accélérer votre cycle de développement. Notre équipe propose des services de conseil en conception pour garantir une intégration optimale et une disponibilité à long terme pour votre programme.

Spécifications complètes du produit

• AS6C8016B-55BINTR.pdf