AS7C1025B-10TJCNTR

AS7C1025B-10TJCNTR - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré AS7C1025B-10TJCNTR d'Alliance Memory, Inc. est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette solution mémoire haut de gamme offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 10 ns et fonctionne sous une tension d'alimentation standard de 4,5 V à 5,5 V.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une structure de données optimale pour les systèmes embarqués.
• Interface parallèle fiable : technologie SRAM asynchrone éprouvée pour un fonctionnement stable et prévisible
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements industriels
• Conception pour montage en surface : le boîtier 32-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette carte SRAM haute performance est idéale pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mise en mémoire tampon de données fiable
• Électronique automobile et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
• Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
• Systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et temporaire

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