Passer aux informations produits
1 de 1

Alliance Memory, Inc.

AS7C31024B-20TJCNTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C31024B-20TJCNTR - SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS7C31024B-20TJCNTR d'Alliance Memory est une mémoire haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et un stockage de données volatiles fiable. Avec un temps d'accès de 20 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements réseau et les applications de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Conception pour montage en surface : boîtier 32-BSOJ (largeur de 7,62 mm) idéal pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conditionnement prêt pour la production : Disponible en bande et bobine pour la fabrication en grande série
  • Large plage de fonctionnement : température ambiante de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale

Applications idéales

Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée à la mémoire cache, au stockage tampon, à l'enregistrement de données, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant un accès mémoire parallèle à haute vitesse et des performances fiables.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez consulter la fiche technique officielle pour obtenir des informations techniques complètes et des recommandations de conception.

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire pour vos besoins en conception de semi-conducteurs. Visitez la page d'accueil de HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de logique programmable, de solutions de mémoire et de composants industriels. Restez informé des dernières tendances et nouveautés produits sur notre blog .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .