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Alliance Memory, Inc.

AS7C31026B-15TINTR

Prix habituel €3,95
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C31026B-15TINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire AS7C31026B-15TINTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone de 1 Mbit, rapide et basse consommation, organisée en 64 Ko x 16 bits. Offrant des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns, elle est idéale pour les applications exigeant un accès rapide aux données et un stockage mémoire fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Alimentation flexible : fonctionne de 3 V à 3,6 V, compatible avec les systèmes basse tension modernes
  • Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C prend en charge les applications industrielles et automobiles.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration dans les conceptions existantes.
  • Boîtier CMS : le boîtier TSOP 44 (largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, avec un support à long cycle de vie et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont garanties par le fabricant. Traçabilité complète et assistance tout au long du cycle de vie disponibles.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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