Passer aux informations produits
1 de 1

Alliance Memory, Inc.

AS7C34096A-12TINTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C34096A-12TINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS7C34096A-12TINTR d'Alliance Memory est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et aérospatial. Grâce à un temps d'accès rapide de 12 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 8, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une disponibilité à long terme.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 4 Mbit - Organisation 512 Ko x 8 pour un stockage de données flexible
  • Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns – Idéal pour les applications à haut débit
  • Large plage de tension de fonctionnement : 3 V à 3,6 V
  • Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
  • Boîtier CMS - 44-TSOP (largeur de 10,16 mm) pour circuits imprimés compacts
  • Conforme à la norme RoHS - Respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation
  • Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications :

Cette mémoire SRAM est idéale pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de réseau, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec un support à long cycle de vie.

Spécifications techniques :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .