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Alliance Memory, Inc.

AS7C34096B-10BINTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C34096B-10BINTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbits

La mémoire Alliance AS7C34096B-10BINTR est une SRAM asynchrone 4 Mbit haute vitesse et basse consommation conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et des performances fiables sur des plages de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les systèmes basse consommation modernes.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact : Boîtier CMS 36-TFBGA (6 x 8 mm)
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour les équipements de réseau, les infrastructures de télécommunications, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les applications aérospatiales nécessitant une mémoire volatile haute fiabilité avec interface parallèle et support à long terme.

Spécifications techniques complètes

Alliance Memory est un distributeur agréé de confiance qui fournit des composants authentiques avec une traçabilité complète et un support de disponibilité à long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 36-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 36-TFBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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