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Alliance Memory, Inc.

AS7C3513B-12JCNTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C3513B-12JCNTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 512 kbits

La mémoire SRAM asynchrone AS7C3513B-12JCNTR d'Alliance Memory est une mémoire haute vitesse de 512 kbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation mémoire de 32 K x 16, cette mémoire SRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Caractéristiques principales :

  • Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Capacité de 512 Kbits (32 K x 16) - Densité de mémoire optimale pour les systèmes embarqués
  • Fonctionnement à basse tension (3 V - 3,6 V) - Conception écoénergétique réduisant la consommation d'énergie
  • Large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 70 °C) - Performances fiables sur toute la plage de températures commerciales
  • Boîtier CMS 44-SOJ - Conception compacte pour circuits imprimés peu encombrants
  • Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications :

Cette mémoire SRAM est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, d'automatisation industrielle, d'infrastructures de télécommunications et de dispositifs médicaux où l'accès rapide aux données et la disponibilité à long terme des produits sont des exigences essentielles.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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