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Alliance Memory, Inc.

AS7C4096A-12TCNTR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

AS7C4096A-12TCNTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La mémoire SRAM asynchrone AS7C4096A-12TCNTR d'Alliance Memory est une mémoire haute fiabilité de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et non volatil. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 512 Ko x 8, cette SRAM à montage en surface offre des performances constantes sur une large plage de températures industrielles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible : configuration 512 Ko x 8 optimisée pour les chemins de données de la taille d’un octet
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
  • Tension standard : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une large compatibilité.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
  • Gain de place : Boîtier compact à montage en surface 44-TSOP
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications idéales

Idéal pour les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire tampon ou un cache à haute vitesse.

Spécifications techniques complètes

Les spécifications peuvent être modifiées. Veuillez consulter la fiche technique du fabricant pour obtenir des informations techniques complètes et les conditions de fonctionnement.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP2
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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