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AS7C4096A-20TCNTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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AS7C4096A-20TCNTR - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La mémoire AS7C4096A-20TCNTR d'Alliance Memory est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une organisation de 512 Ko x 8 et un temps d'accès de 20 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Caractéristiques principales :
- Temps d'accès rapide : 20 ns pour une récupération rapide des données
- Capacité de 4 Mbit : organisation de la mémoire 512 Ko x 8
- Large plage de tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V pour une intégration flexible
- Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA)
- Boîtier CMS : 44-TSOP (largeur de 10,16 mm) pour une conception de circuit imprimé compacte
- Interface parallèle : intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications :
Idéal pour les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'électronique automobile et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec accès parallèle.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir Alliance Memory ? Alliance Memory est spécialisée dans les composants semi-conducteurs haute fiabilité avec un support à long terme, ce qui les rend idéaux pour les applications industrielles et critiques où la disponibilité et la constance des produits sont essentielles.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP2 |
| RoHS |  |
AS7C4096A-20TCNTR.pdf