BR93G66FVJ-3AGTE2

BR93G66FVJ-3AGTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits haute performance

La BR93G66FVJ-3AGTE2 de Rohm Semiconductor est une solution de mémoire EEPROM non volatile de 4 Kbits fiable, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface est doté d'une interface série Microwire, ce qui le rend idéal pour les conceptions à espace restreint nécessitant un stockage de données persistant.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 4 Kbits - L'organisation 256 x 16 offre un stockage flexible des données pour les paramètres de configuration, les données d'étalonnage et les paramètres système.
• Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
• Interface série Microwire - Interface simple à 3 fils réduisant le nombre de broches et simplifiant la conception du circuit imprimé
• Fréquence d'horloge élevée : le fonctionnement à 3 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
• Plage de températures industrielles - Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements exigeants
• Boîtier compact pour montage en surface - L'encombrement de 8 TSSOP permet de gagner un espace précieux sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux

Applications

Idéal pour l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, l'électronique grand public, les dispositifs médicaux et les applications IoT nécessitant un stockage non volatil des paramètres, le BR93G66FVJ-3AGTE2 garantit la conservation des données même en cas de coupure de courant, ce qui le rend indispensable pour le stockage des données de configuration critiques.

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Spécifications techniques

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