BR93G66FVJ-3BGTE2

BR93G66FVJ-3BGTE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits

Le BR93G66FVJ-3BGTE2 de Rohm Semiconductor est un circuit intégré de mémoire EEPROM non volatile 4 Kbits hautes performances doté d'une interface série Microwire. Ce composant mémoire à montage en surface est conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable, une faible consommation d'énergie et une large plage de tension de fonctionnement.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 4 Kbits – Organisée en 256 x 16 bits pour un stockage de données flexible
• Interface série Microwire - Protocole de communication simple à 3 fils pour une intégration facile
• Large plage de tension : fonctionne de 1,7 V à 5,5 V pour une compatibilité étendue avec les alimentations.
• Fréquence d'horloge rapide - Fréquence d'horloge maximale de 3 MHz pour un transfert de données efficace
• Plage de températures industrielles - Fonctionnement prévu entre -40 °C et 85 °C ambiants
• Boîtier compact – Conception à montage en surface 8-TSSOP pour un gain de place sur la carte
• Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement

Spécifications techniques

Applications

La mémoire EEPROM BR93G66FVJ-3BGTE2 est idéale pour les applications nécessitant le stockage non volatil de paramètres, la conservation de données de configuration, de valeurs d'étalonnage et de paramètres utilisateur dans les systèmes embarqués. Elle est couramment utilisée dans les contrôleurs industriels, l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les objets connectés (IoT).

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