BR93L66FV-WE2

BR93L66FV-WE2 - Circuit intégré de mémoire EEPROM 4 Kbits haute fiabilité

La BR93L66FV-WE2 de Rohm Semiconductor est une mémoire EEPROM 4 Kbits haut de gamme dotée de la technologie d'interface série Microwire. Conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes, cette mémoire non volatile offre une fiabilité exceptionnelle sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de mémoire de 4 Kbits avec une organisation efficace de 256 x 16 pour un stockage de données flexible
• L'interface série Microwire permet une communication simple à 3 fils avec un nombre minimal de broches.
• La large plage de tension (1,8 V à 5,5 V) assure la compatibilité avec diverses architectures système.
• La fréquence d'horloge de 2 MHz assure un accès rapide aux données pour les applications critiques en termes de temps.
• Un temps de cycle d'écriture de 5 ms optimise l'efficacité de la programmation
• Le boîtier SSOP-B 8 composants à montage en surface permet de gagner de la place sur la carte dans les conceptions compactes.
• Conforme à la norme RoHS, répond aux normes environnementales des marchés mondiaux.

Applications idéales

Idéal pour le stockage des données de configuration, des paramètres d'étalonnage, des paramètres utilisateur, des codes de sécurité et de l'identification du système dans les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les appareils grand public et les nœuds périphériques IoT.

Spécifications techniques

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