BY25D10ASMIG(R)

BY25D10ASMIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 1 Mbit

Le BY25D10ASMIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 1 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'une double interface d'E/S SPI et d'une fréquence d'horloge de 108 MHz, ce circuit offre un accès en lecture rapide et un transfert de données efficace pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 1 Mbit (128 Ko x 8) – Idéale pour le stockage du firmware, les données de configuration et l'exécution de code.
• Interface SPI double E/S - Débit amélioré grâce à deux lignes de données pour des opérations de lecture plus rapides
• Fréquence d'horloge de 108 MHz - Performances haute vitesse pour les applications critiques en termes de temps
• Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
• Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
• Boîtier compact 8 USON (2 x 3 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante
• Temps d'accès de 7 ns - Accès aléatoire rapide pour des performances système réactives

Applications

Idéal pour le stockage BIOS, les firmwares embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.

Distributeur agréé

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous les composants sont expédiés depuis le stock de distributeurs agréés et bénéficient d'une assurance qualité.

Spécifications complètes

• BY25D10ASMIG(R).pdf