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BYTe Semiconductor

BY25D40ESMIG(R)

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Recycling Electronic Components

BY25D40ESMIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESMIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées nécessitant un stockage non volatil fiable. Ce composant compact 8 USON (2 x 3 mm) offre un fonctionnement rapide à 120 MHz avec une double interface d'E/S SPI, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les mises à jour de firmware dans les environnements à espace restreint.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de 4 Mbit (512 Ko x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
  • Interface E/S double SPI 120 MHz - Transfert de données haute vitesse avec débit amélioré
  • Large plage de tension (2,7 V - 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et alimentés par batterie
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Boîtier ultra-compact 8-USON (2 x 3 mm) – Réduit l'encombrement sur le circuit imprimé pour les applications où l'espace est critique.
  • Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture de page de 3,6 ms, temps d'accès de 7 ns
  • Technologie de montage en surface - Compatible avec l'assemblage automatisé

Applications typiques

Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les applications exigeantes, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs IoT périphériques, l'instrumentation médicale, les équipements de télécommunications et l'électronique grand public nécessitant une prise en charge à long terme et une traçabilité authentique des composants.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Notre statut de distributeur agréé vous assure de recevoir des pièces d'origine, conformes aux normes de qualité BYTe et bénéficiant d'un engagement de disponibilité à long terme.

Spécifications techniques complètes

Besoin d'aide à l'intégration, de schémas de référence ou de documentation technique ? Contactez notre équipe d'ingénierie d'applications pour bénéficier de l'assistance d'experts pour votre projet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3,6 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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