Passer aux informations produits
1 de 1

BYTe Semiconductor

BY25D40ESOIG(R)

Prix habituel €0,95
Prix habituel Prix promotionnel €0,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €0,95 EUR €0,95 EUR
15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
N+ €0,14 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

BY25D40ESOIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESOIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable. Avec une fréquence d'horloge de 120 MHz et une interface SPI double E/S, ce circuit intégré de mémoire offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact 8-TSSOP à montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) – Idéale pour le stockage de firmware, l'enregistrement de données et la gestion de la configuration
  • Interface E/S double SPI - Débit amélioré grâce à une fréquence d'horloge de 120 MHz pour un accès rapide aux données
  • Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans des environnements d'exploitation difficiles
  • Cycle d'écriture rapide (3,6 ms) et temps d'accès de 7 ns - Optimisé pour les applications critiques en termes de temps
  • Boîtier 8-TSSOP - Conception de montage en surface compacte pour les circuits imprimés haute densité
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux calculateurs automobiles, aux infrastructures de télécommunications, aux appareils IoT et à toute application nécessitant une mémoire non volatile sécurisée à longue durée de vie avec une traçabilité complète du fabricant.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés d'une documentation complète, d'une traçabilité et d'une garantie. Notre stock de distributeur agréé assure une disponibilité tout au long du cycle de vie de vos produits, vous permettant ainsi de soutenir vos programmes et de limiter les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3,6 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .