BY25D40ESOIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25D40ESOIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit
Le BY25D40ESOIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable. Avec une fréquence d'horloge de 120 MHz et une interface SPI double E/S, ce circuit intégré de mémoire offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact 8-TSSOP à montage en surface.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) – Idéale pour le stockage de firmware, l'enregistrement de données et la gestion de la configuration
- Interface E/S double SPI - Débit amélioré grâce à une fréquence d'horloge de 120 MHz pour un accès rapide aux données
- Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans des environnements d'exploitation difficiles
- Cycle d'écriture rapide (3,6 ms) et temps d'accès de 7 ns - Optimisé pour les applications critiques en termes de temps
- Boîtier 8-TSSOP - Conception de montage en surface compacte pour les circuits imprimés haute densité
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires
Applications
Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux calculateurs automobiles, aux infrastructures de télécommunications, aux appareils IoT et à toute application nécessitant une mémoire non volatile sécurisée à longue durée de vie avec une traçabilité complète du fabricant.
Pourquoi choisir un distributeur agréé ?
Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés d'une documentation complète, d'une traçabilité et d'une garantie. Notre stock de distributeur agréé assure une disponibilité tout au long du cycle de vie de vos produits, vous permettant ainsi de soutenir vos programmes et de limiter les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3,6 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-TSSOP |
| RoHS |

BY25D40ESOIG(R).pdf