BY25D40ESOIG(T)

BY25D40ESOIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 4 Mbit

Le BY25D40ESOIG(T) de BYTe Semiconductor est une mémoire Flash NOR 4 Mbit hautes performances dotée d'une interface E/S double SPI et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz. Ce circuit intégré à montage en surface offre un stockage non volatil fiable pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les applications automobiles et les équipements de télécommunications exigeant des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l’exécution du code.
• Interface SPI double E/S - Débit de données amélioré grâce à une interface périphérique série double E/S
• Fréquence d'horloge de 120 MHz - Opérations de lecture rapides avec un temps d'accès de 7 ns
• Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
• Température de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
• Boîtier 8-TSSOP - Format compact pour montage en surface, idéal pour les conceptions à espace restreint.
• Temps de cycle d'écriture de 3,6 ms - Performances de programmation efficaces

Applications :

Idéal pour le stockage du BIOS, les microprogrammes embarqués, le code de démarrage, les données de configuration, l'enregistrement de données, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les appareils IoT et l'infrastructure des télécommunications.

Qualité et conformité :

Stock provenant d'un distributeur agréé, avec traçabilité et documentation complètes du fabricant. Conforme à la norme RoHS pour la sécurité environnementale.

Spécifications techniques complètes :

• BY25D40ESOIG(T).pdf