BY25D40ESSIG(R)

BY25D40ESSIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESSIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI double E/S supportant des fréquences d'horloge jusqu'à 120 MHz, ce dispositif mémoire offre des temps d'accès en lecture rapides de seulement 7 ns, ce qui le rend idéal pour le stockage de code et l'enregistrement de données dans les systèmes industriels, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et les paramètres système
• Interface SPI double E/S à 120 MHz - Communication série haut débit avec un nombre de broches réduit
• Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
• Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
• Boîtier SOIC 8 composants à montage en surface - Conception compacte pour des circuits imprimés compacts
• Accès ultrarapide en 7 ns – Récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à tout système embarqué nécessitant un stockage de code fiable avec un support à long terme.

Distributeur agréé - Traçabilité complète

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous les composants proviennent directement du stock de notre distributeur agréé et bénéficient d'une garantie anti-contrefaçon.

Spécifications techniques

• BY25D40ESSIG(R).pdf