BY25D40ESSIG(T)

BY25D40ESSIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESSIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Doté d'une interface SPI double E/S supportant des fréquences d'horloge jusqu'à 120 MHz et une plage de tension de fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V, ce composant offre des temps d'accès rapides (7 ns) et une faible consommation d'énergie pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 4 Mbit (organisation 512K x 8)
• Interface : SPI double E/S pour un transfert de données à haut débit
• Fréquence d'horloge : jusqu'à 120 MHz
• Tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
• Plage de température : -40 °C à 85 °C (qualité industrielle)
• Boîtier : 8-SOIC montage en surface (largeur 5,30 mm)
• Accès rapide : temps d’accès de 7 ns, cycle d’écriture de 3,6 ms

Applications :

Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, les données de configuration, le code de démarrage et les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes d'intégration et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques :

• BY25D40ESSIG(T).pdf