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BY25D40ESTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25D40ESTIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit
Le BY25D40ESTIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI double E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz et un temps d'accès rapide de 7 ns, cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Organisation de la mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8)
- Interface SPI double E/S pour transfert de données à haut débit
- Fréquence d'horloge maximale de 120 MHz
- Temps d'accès rapide de 7 ns
- Large plage de tension : 2,7 V à 3,6 V
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
- faible consommation d'énergie
- Boîtier de montage en surface SOIC 8 broches
- Conforme à la directive RoHS
Applications : Stockage de microprogrammes embarqués, code BIOS/de démarrage, données de configuration, enregistrement de données, dispositifs IoT, systèmes de contrôle industriels, électronique automobile et équipements de télécommunications.
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de la traçabilité et de la garantie. Tous nos produits sont expédiés depuis notre stock agréé et bénéficient d’une assistance logistique internationale.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Double E/S |
| Fréquence d'horloge | 120 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3,6 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25D40ESTIG(R).pdf