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BYTe Semiconductor

BY25D40ESTIG(T)

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Recycling Electronic Components

BY25D40ESTIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESTIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable et non volatil. Doté d'une interface SPI double E/S et d'une fréquence d'horloge de 120 MHz, ce composant offre un accès en lecture rapide et une communication série efficace pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) – Idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage et des données de configuration
  • Interface SPI à double E/S - Débit amélioré grâce à la communication série à deux voies
  • Fréquence d'horloge de 120 MHz - Opérations de lecture rapides avec un temps d'accès de 7 ns
  • Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Boîtier CMS SOIC 8 broches - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires

Applications

Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les applications exigeantes, notamment le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage, les tables de configuration système, l'enregistrement de données et le stockage de paramètres dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, l'infrastructure de télécommunications et les dispositifs périphériques IoT.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une assistance sous garantie. Notre statut de distributeur agréé garantit une disponibilité tout au long du cycle de vie des composants et une assistance à l'intégration pour vos programmes critiques.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3,6 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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