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BYTe Semiconductor

BY25D40ESUIG(R)

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Promotion Épuisé
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15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25D40ESUIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit

Le BY25D40ESUIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 4 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage de données fiable et non volatil. Doté d'une interface SPI double E/S supportant une fréquence d'horloge jusqu'à 120 MHz et une plage de températures industrielles de -40 °C à 85 °C, ce composant est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 4 Mbit (512 Ko x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code de démarrage
  • Interface SPI double E/S à 120 MHz - Performances de lecture/écriture rapides avec interface périphérique série standard.
  • Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
  • Température de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Boîtier compact 8-USON (2 x 3 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante avec pastille exposée pour la gestion thermique
  • Temps d'accès rapide (7 ns) - Latence minimale pour les applications critiques en temps réel
  • Cycle d'écriture de page de 3,6 ms - Performances de programmation efficaces

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée pour :

  • Stockage du firmware embarqué et code de démarrage
  • mémoire de configuration FPGA
  • Enregistrement des données et stockage des paramètres
  • Systèmes ECU et ADAS automobiles
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Équipement de télécommunications
  • Dispositifs IoT et de calcul en périphérie

Distributeur agréé - Traçabilité complète

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de conformité et d'une traçabilité intégrale de la chaîne d'approvisionnement. Tous les composants proviennent de circuits de distribution agréés afin de garantir leur authenticité et leur disponibilité tout au long du cycle de vie de vos applications critiques.

Spécifications techniques

Assistance et ressources en matière de conception

Notre équipe technique peut vous fournir des schémas de référence, des notes d'application et une assistance à l'intégration pour faciliter l'intégration du BY25D40ESUIG(R) dans votre système. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et la disponibilité tout au long du cycle de vie du produit.

Remarque : Toutes les spécifications sont sujettes aux données du fabricant. Veuillez consulter la documentation officielle de BYTe Semiconductor pour connaître l’intégralité des caractéristiques électriques et des conditions de fonctionnement.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3,6 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)

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