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BYTe Semiconductor

BY25FQ128ELEIG(R)

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Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute performance BYTe BY25FQ128ELEIG(R) - 128 Mbit

La BY25FQ128ELEIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et basse tension de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 128 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de l'interface Quad SPI et à sa fréquence d'horloge de 133 MHz, garantissant un accès rapide aux données et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
  • Interface avancée : la prise en charge des interfaces SPI et QPI à quatre broches permet un transfert de données à haut débit avec un nombre minimal de broches.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) minimise l'espace requis sur la carte.
  • Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement répond aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil de code et de données, notamment le stockage du BIOS/firmware, le code de démarrage, les paramètres de configuration, l'enregistrement des données et les mises à jour système dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les appareils IoT.

Composants authentiques avec traçabilité complète

Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'une traçabilité intégrale. Chaque unité bénéficie de notre engagement envers la qualité et la disponibilité à long terme des produits.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120 µs, 2,5 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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