BY25FQ128ELEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR haute performance BYTe BY25FQ128ELEIG(R) - 128 Mbit
La BY25FQ128ELEIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et basse tension de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 128 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de l'interface Quad SPI et à sa fréquence d'horloge de 133 MHz, garantissant un accès rapide aux données et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
- Interface avancée : la prise en charge des interfaces SPI et QPI à quatre broches permet un transfert de données à haut débit avec un nombre minimal de broches.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès de 6 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
- Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) minimise l'espace requis sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement répond aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil de code et de données, notamment le stockage du BIOS/firmware, le code de démarrage, les paramètres de configuration, l'enregistrement des données et les mises à jour système dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les appareils IoT.
Composants authentiques avec traçabilité complète
Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'une traçabilité intégrale. Chaque unité bénéficie de notre engagement envers la qualité et la disponibilité à long terme des produits.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 120 µs, 2,5 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

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