BY25FQ128ELFIG(R)

BY25FQ128ELFIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit

Solution de mémoire Flash NOR haute densité BY25FQ128ELFIG® de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 128 Mbit intègre des interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées, offrant un stockage non volatil fiable, une documentation complète du fabricant et une traçabilité optimale.

Caractéristiques principales

• Stockage haute densité : architecture Flash NOR 128 Mbit (16 M x 8)
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un transfert de données à haut débit
• Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles
• Performances d'écriture fiables : écriture d'un mot en 120 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 2,5 ms
• Conditionnement professionnel : montage en surface SOIC 16 broches, bande et bobine pour assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués exigeant un stockage fiable du code, des mises à jour du firmware, l'enregistrement des données et la gestion de la configuration dans les applications critiques. Convient aux systèmes avioniques aérospatiaux, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels et aux infrastructures de télécommunications.

Assurance qualité

Chaque unité provient de distributeurs agréés et est accompagnée de la documentation complète du fabricant, garantissant ainsi son authenticité et sa disponibilité à long terme pour répondre à vos besoins d'intégration.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ128ELFIG(R).pdf