BY25FQ128ELFIG(T)

BY25FQ128ELFIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit

La mémoire flash NOR BY25FQ128ELFIG(T) de BYTe Semiconductor est une solution haute performance de 128 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce dispositif de mémoire non volatile est doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées, offrant un débit de données exceptionnel à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Caractéristiques principales :

• Haute densité : organisation de la mémoire de 128 Mbit (16 M x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une bande passante maximale
• Faible consommation : plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 2 V
• Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
• Fiable : Cycles d'écriture rapides (120 µs par mot, 2,5 ms par page)
• Boîtier compact SOIC à montage en surface

Applications :

Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et les systèmes embarqués à haute fiabilité.

Qualité et conformité :

Provenant de distributeurs agréés, ce produit offre une documentation complète du fabricant, une traçabilité totale et un support technique à long terme. Conforme à la norme RoHS pour une responsabilité environnementale accrue.

Spécifications techniques complètes :

• BY25FQ128ELFIG(T).pdf