BY25FQ128ELSIG(R)

BY25FQ128ELSIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 128 Mbit

Le BY25FQ128ELSIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 128 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant dispose d'une interface Quad SPI avec prise en charge QPI, permettant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz pour les applications exigeantes des marchés industriels, automobiles et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 128 Mbit (16 Mo x 8) pour un stockage étendu de code et de données.
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz et temps d’accès de 6 ns pour des opérations de lecture rapides.
• Interface flexible : modes SPI Quad E/S et QPI pour un débit optimisé
• Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 5,30 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications typiques

Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, le code de démarrage, les données de configuration et les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous les composants proviennent directement du stock de notre distributeur agréé et bénéficient d'une assurance qualité pour vos projets d'intégration critiques.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ128ELSIG(R).pdf