BY25FQ128ELSJG(R)

BY25FQ128ELSJG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit

Le BY25FQ128ELSJG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'interfaces SPI Quad E/S et QPI avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier compact SOIC 8 broches pour montage en surface.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : organisation de la mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) pour une conservation étendue des données
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions économes en énergie
• Format compact : boîtier CMS 8-SOIC (largeur 5,30 mm)
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire non volatile fiables et à longue durée de vie.

Authenticité garantie

Provenant de distributeurs agréés, chaque composant bénéficie d'une documentation complète du fabricant, d'une traçabilité totale et d'un engagement sur le long terme. Son authenticité est vérifiée et il est accompagné d'un support technique complet.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ128ELSJG(R).pdf