BY25FQ128ELWIG(R)

BY25FQ128ELWIG(R) - Mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit

Le BY25FQ128ELWIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute densité et basse tension de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 128 Mbit est doté d'une interface Quad SPI avec prise en charge QPI, offrant des performances de lecture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : mémoire organisée de 128 Mbit (16 Mo x 8) pour une conservation étendue des données
• Performances ultra-rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un débit maximal
• Fonctionnement basse tension : une plage d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Idéal pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et pour les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile avec un accès en lecture rapide et une conservation des données à long terme.

Pourquoi choisir nos actions ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité assurée et d'un engagement sur le long terme. Chaque unité est livrée dans son emballage d'origine (bande et bobine) avec les fiches techniques complètes et les certificats de conformité.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ128ELWIG(R).pdf