BY25FQ16ELEIG(R)

BY25FQ16ELEIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 16 Mbit

La mémoire flash NOR BY25FQ16ELEIG® de BYTe Semiconductor est une solution haute performance de 16 Mbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce composant authentique offre un stockage non volatil fiable grâce à sa technologie d'interface E/S quadruple SPI avancée.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 4 ns pour une récupération rapide des données.
• Fonctionnement à basse tension : la plage d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes embarqués et alimentés par batterie.
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour un débit et une flexibilité maximaux
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Composants authentiques : provenant directement de distributeurs agréés, avec documentation et traçabilité complètes du fabricant.

Applications idéales

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, les mises à jour du firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable.

Spécifications techniques complètes

Assurance qualité : Tous les composants sont conformes à la norme RoHS et sont accompagnés d’une documentation complète du fabricant, garantissant ainsi leur authenticité et un support à long terme tout au long du cycle de vie de vos conceptions critiques.

• BY25FQ16ELEIG(R).pdf