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BY25FQ16ELMIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ELMIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ELMIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 166 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS compact 8 USON (2 x 3 mm).
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) avec technologie FLASH-NOR
- Interface SPI haute vitesse : prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR à 166 MHz
- Fonctionnement basse tension : plage d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
- Temps d'accès rapide : 4 ns avec des cycles d'écriture efficaces (mot de 100 µs, page de 1,5 ms)
- Boîtier compact à pastilles exposées 8-UFDFN, prêt pour le montage en surface
Applications : Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, le stockage de microprogrammes embarqués et les équipements de télécommunications nécessitant un support à long terme.
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d’une garantie. Tous les composants sont expédiés sous emballage scellé d’usine (bande et bobine).
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 1,5 ms |
| Temps d'accès | 4 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-UFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (2x3) |
| RoHS |  |
BY25FQ16ELMIG(R).pdf