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BY25FQ16ELSIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ELSIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 16 Mbit
La mémoire flash NOR BY25FQ16ELSIG® de BYTe Semiconductor est un dispositif haute performance de 16 Mbit doté d'interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR avancées. Elle est conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable, des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie.
Caractéristiques principales
- Capacité mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l'exécution du code.
- Interface SPI Quad I/O, QPI, DTR - Communication série haut débit jusqu'à 166 MHz pour un transfert de données rapide
- Tension d'alimentation de 1,65 V à 1,95 V - Fonctionnement à faible consommation, idéal pour les applications alimentées par batterie et les conceptions économes en énergie.
- Plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C - Tolérance aux températures de qualité industrielle pour les environnements difficiles
- Temps d'accès de 4 ns - Performances de lecture ultra-rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Boîtier CMS SOIC 8 broches - Format compact pour les circuits imprimés à espace restreint
Applications
Idéal pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT, les systèmes embarqués, le stockage de firmware, le code BIOS/de démarrage et les applications d'enregistrement de données nécessitant une mémoire fiable, rapide et non volatile.
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Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, documentation et garantie. Leur disponibilité sur le long terme assure la prise en charge de vos conceptions tout au long de leur cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 1,5 ms |
| Temps d'accès | 4 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ16ELSIG(R).pdf