BY25FQ16ELSIG(T)

BY25FQ16ELSIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ELSIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Cette solution de mémoire non volatile intègre des interfaces Quad I/O, QPI et DTR fonctionnant jusqu'à 166 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides avec un temps d'accès de 4 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour un accès rapide aux données
• Organisation flexible de la mémoire : capacité de 16 Mbit organisée en 2 M x 8 pour répondre aux exigences d’applications variées.
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
• Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
• Boîtier standard industriel : boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur 5,30 mm) pour une intégration facile sur circuit imprimé
• Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 100 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 1,5 ms

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.

Distributeur agréé

Nous fournissons des stocks de distributeurs agréés avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ16ELSIG(T).pdf