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BY25FQ16ELTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ELTIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ELTIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash SPI NOR de 16 Mbit haute performance conçu pour les applications embarquées exigeantes dans les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour un accès rapide aux données
- Interface flexible : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR permettent une intégration système polyvalente.
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimisée pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Performances d'écriture rapides : écriture de mots en 100 µs, écriture de pages en 1,5 ms pour une programmation efficace
- Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place sur la carte.
Applications typiques
- Stockage du firmware embarqué et exécution du code
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Applications de code de démarrage et de BIOS
- Systèmes de contrôle industriels
- électronique automobile
- Équipement de télécommunications
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons exclusivement des stocks provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une garantie. Chaque unité bénéficie de notre engagement à assurer une disponibilité tout au long de son cycle de vie afin de soutenir vos programmes et de limiter les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 1,5 ms |
| Temps d'accès | 4 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ16ELTIG(R).pdf