BY25FQ16ELTIG(T)

BY25FQ16ELTIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Semiconducteur BYTe | Boîtier SOIC 8 broches | Plage de températures industrielles

Présentation du produit

Le BY25FQ16ELTIG(T) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit (2M x 8) hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Avec prise en charge des E/S quadruples, du QPI et du DTR à 166 MHz, cette mémoire Flash offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact SOIC 8 broches à montage en surface.

Caractéristiques principales

• Capacité mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) – Idéale pour le stockage de firmware, l'enregistrement de données et l'exécution de code.
• Interface SPI haute vitesse - Modes Quad I/O, QPI et DTR jusqu'à 166 MHz
• Fonctionnement basse tension - tension d'alimentation de 1,65 V à 1,95 V pour les applications sensibles à la puissance
• Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C
• Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 100 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 1,5 ms.
• Boîtier SOIC 8 broches compact - Conception à montage en surface peu encombrante

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée aux secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des objets connectés et des applications embarquées nécessitant une disponibilité tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète du fabricant.

Distributeur agréé

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète, une traçabilité et un support longue durée pour atténuer les risques d'obsolescence dans vos conceptions critiques.

Spécifications complètes

• BY25FQ16ELTIG(T).pdf