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BY25FQ16ELUIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ELUIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 16 Mbit
Le BY25FQ16ELUIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Doté d'une interface SPI Quad E/S polyvalente avec prise en charge QPI et DTR, ce dispositif de mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 4 ns.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) avec technologie FLASH-NOR non volatile
- Interfaces SPI Quad E/S, QPI et DTR haute vitesse pour un débit maximal
- Large plage de tension de fonctionnement : de 1,65 V à 1,95 V pour une intégration système flexible
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C pour un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact 8-USON (2x3) pour montage en surface avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Temps de cycle d'écriture rapides : 100 µs par mot, 1,5 ms par page
- Conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement
Applications : Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le code de démarrage dans les systèmes aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications.
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité et un support à long terme pour limiter les risques d’obsolescence.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 1,5 ms |
| Temps d'accès | 4 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-UFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (2x3) |
| RoHS |  |
BY25FQ16ELUIG(R).pdf