BY25FQ16ELWIG(R)

BY25FQ16ELWIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 16 Mbit

Le BY25FQ16ELWIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Doté d'une interface SPI Quad E/S avec prise en charge QPI et DTR, ce circuit offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages :

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 4 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface flexible : modes SPI Quad I/O, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V pour des conceptions écoénergétiques
• Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Format compact : boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée
• Stockage fiable : organisation 2 M x 8 avec cycles d’écriture de page (1,5 ms) et de mot (100 µs) rapides

Applications :

Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, l'enregistrement de données, les systèmes embarqués, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile avec un support à long cycle de vie.

Garantie du distributeur agréé :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Tous nos composants sont conformes à la directive RoHS et proviennent de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi leur authenticité et leur fiabilité pour vos applications critiques.

Spécifications techniques complètes :

• BY25FQ16ELWIG(R).pdf