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BY25FQ16ESEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ESEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ESEIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact 8-WSON.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
- Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-WDFN/8-WSON (8x6) peu encombrant
- Stockage fiable : organisation 2M x 8 avec technologie Flash NOR éprouvée
Applications
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les appareils IoT, le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage et les applications d'enregistrement de données nécessitant une prise en charge à long terme.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons exclusivement des produits provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Chaque unité est approvisionnée par les circuits officiels afin de garantir son authenticité et sa disponibilité à long terme pour vos conceptions critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 250 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |  |
BY25FQ16ESEIG(R).pdf