BY25FQ16ESHIG(R)

BY25FQ16ESHIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESHIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil et fiable. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS compact 8 USON (4 x 3 mm).

Principales caractéristiques et avantages

• Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR avec une fréquence d’horloge de 133 MHz pour un accès rapide aux données
• Organisation flexible de la mémoire : capacité de 16 Mbit organisée en 2 M x 8 pour une prise en charge polyvalente des applications
• Temps d'accès rapides : temps d'accès de 5 ns avec des cycles d'écriture de mots de 250 µs et de pages de 2,4 ms.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
• Format compact : Boîtier 8 USON (4 x 3 mm) peu encombrant avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des objets connectés et des systèmes embarqués nécessitant un stockage de code fiable, l'enregistrement de données ou des mises à jour de micrologiciels.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ16ESHIG(R).pdf