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BYTe Semiconductor

BY25FQ16ESMIG(R)

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Recycling Electronic Components

BY25FQ16ESMIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESMIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire Flash non volatile dispose d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR, avec une fréquence d'horloge maximale de 133 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS compact 8 USON (2 x 3 mm).

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
  • Format compact : boîtier 8-USON (2x3) idéal pour les conceptions à espace restreint
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
  • Stockage fiable : organisation 2 M x 8 avec des cycles d’écriture de mots de 250 µs et de pages de 2,4 ms.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications typiques

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et l'enregistrement de données dans les automates industriels, les calculateurs automobiles, les objets connectés, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.

Avantages réservés aux distributeurs agréés

Nous fournissons des produits BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique couvrant l'ensemble du cycle de vie des produits. Notre réseau de distribution mondial garantit une livraison rapide et une manutention soignée via des canaux agréés, avec le soutien de ressources techniques complètes et d'une assistance à l'intégration.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 250 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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