BY25FQ16ESMIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ESMIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ESMIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire Flash non volatile dispose d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR, avec une fréquence d'horloge maximale de 133 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS compact 8 USON (2 x 3 mm).
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
- Format compact : boîtier 8-USON (2x3) idéal pour les conceptions à espace restreint
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
- Stockage fiable : organisation 2 M x 8 avec des cycles d’écriture de mots de 250 µs et de pages de 2,4 ms.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications typiques
Cette mémoire Flash NOR est idéale pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et l'enregistrement de données dans les automates industriels, les calculateurs automobiles, les objets connectés, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste garantissent un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
Avantages réservés aux distributeurs agréés
Nous fournissons des produits BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique couvrant l'ensemble du cycle de vie des produits. Notre réseau de distribution mondial garantit une livraison rapide et une manutention soignée via des canaux agréés, avec le soutien de ressources techniques complètes et d'une assistance à l'intégration.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 250 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Coussinet exposé 8-UFDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (2x3) |
| RoHS |

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