BY25FQ16ESOIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ESOIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ESOIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge DTR. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable, un accès en lecture rapide et une large plage de températures de fonctionnement.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : modes SPI Quad E/S, QPI et DTR pour un débit optimisé
- Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Format compact : boîtier de montage en surface 8-TSSOP (largeur de 4,40 mm)
- Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties
Applications typiques
- stockage du micrologiciel et du code de démarrage de l'ECU automobile
- Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
- données de configuration des équipements de télécommunications
- BIOS et chargeurs de démarrage des systèmes embarqués
- Dispositifs IoT et capteurs intelligents
- mémoire de configuration FPGA
Spécifications techniques complètes
Engagement de distributeur agréé : Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, documentation et garantie. Leur disponibilité à long terme assure la pérennité de votre investissement contre l’obsolescence.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 250 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-TSSOP |
| RoHS |

BY25FQ16ESOIG(R).pdf