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BYTe Semiconductor

BY25FQ16ESOIG(R)

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Quantity Unit Price Total Price
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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25FQ16ESOIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESOIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge DTR. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable, un accès en lecture rapide et une large plage de températures de fonctionnement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : modes SPI Quad E/S, QPI et DTR pour un débit optimisé
  • Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Format compact : boîtier de montage en surface 8-TSSOP (largeur de 4,40 mm)
  • Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties

Applications typiques

  • stockage du micrologiciel et du code de démarrage de l'ECU automobile
  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • données de configuration des équipements de télécommunications
  • BIOS et chargeurs de démarrage des systèmes embarqués
  • Dispositifs IoT et capteurs intelligents
  • mémoire de configuration FPGA

Spécifications techniques complètes

Engagement de distributeur agréé : Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, avec traçabilité complète du fabricant, documentation et garantie. Leur disponibilité à long terme assure la pérennité de votre investissement contre l’obsolescence.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 250 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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